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UF3205	文件：196.37 Kbytes Page：5 Pages	HEXFET POWER MOSFET 文件：196.37 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UF3205	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar Power MOSFET (N-CH) The UTC UF3205 uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), fast switching, low gate charge, and extremely efficient. This device is suitable for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. • RDS(ON)<8mΩ @VGS=10V \n• Ultra Low Gate Charge ( 146nC max ) \n• Low Reverse Transfer Capacitance ( CRSS = typ. 211 pF ) \n• Fast Switching Capability \n• Avalanche Energy Specified \n• Improved dv/dt Capability, High Ruggedness;	UTC 友顺	UTC
UF3205_15	文件：206.54 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET ARRAY FOR SWITCHING 文件：206.54 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
UF3205G-TA3-T	文件：196.37 Kbytes Page：5 Pages	HEXFET POWER MOSFET 文件：196.37 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UF3205G-TA3-T	文件：206.54 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET ARRAY FOR SWITCHING 文件：206.54 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
UF3205G-TQ2-R	文件：206.54 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET ARRAY FOR SWITCHING 文件：206.54 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
UF3205G-TQ2-T	文件：206.54 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET ARRAY FOR SWITCHING 文件：206.54 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
UF3205L-TA3-T	文件：206.54 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET ARRAY FOR SWITCHING 文件：206.54 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
UF3205L-TA3-T	文件：196.37 Kbytes Page：5 Pages	HEXFET POWER MOSFET 文件：196.37 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
UF3205L-TA3-T	文件：998.2 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：998.2 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

VGS(±V)：
±20
ID(A)：
110
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
8
CISSTYP.(pF)：
3247
COSSTYP.(pF)：
781
CRSSTYP.(pF)：
211
VGS(th)(V)MIN.：
2
VGS(th)(V)MAX.：
4
TrrTYP.(nS)：
69
QrrTYP.(nC)：
143
Package：
TO-220_TO-263_TO-3P_TO-247

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