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VBE1102M

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1102M

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •AvailableinTapeandReel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •175°COperatingTemperature •FastSwitching •EaseofParalleling

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1102N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch •IsolatedDC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBE1102N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBFB1102M

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBM1102M

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBM1102M

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBM1102N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBM1102N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

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VBQA1102N

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    UES1102SM

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    2.5A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    3.5pF @ 6V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SQ-MELF,A

  • 供应商器件封装:

    A-MELF

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 100V 2.5A A-MELF

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Microsemi
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更多UES1102SM供应商 更新时间2025-5-28 10:19:00