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TT015N120EQ-GE-B	文件：1.39046 Mbytes Page：13 Pages	N-CHANNELIGBT APPLICATIONS Generalpurposeinverter FEATURES Lowgatecharge TrenchFSTechnology RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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TW015N120C	文件：528.55 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconCarbideN-ChannelMOS Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=15m Ω(typ.) (5)Lesssusceptibletomalfunctionduetohighthresholdvoltage:	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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MOSFETsSiliconCarbideN-ChannelMOS

Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=15m Ω(typ.) (5)Lesssusceptibletomalfunctionduetohighthresholdvoltage:

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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