UCC5390-Q1数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

UCC5390-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器，具有 10A 峰值拉电流和 10A 峰值灌电流旨在驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 为基准，从而有利于使用双极电源并优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性。



UCC5390-Q1 采用 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装，可支持高达 5kVRMS 的隔离电压。输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，隔离层寿命超过 40 年。凭借高驱动强度和真正的 UVLO 检测，该器件非常适用于在车载充电器和牵引逆变器等 应用 中驱动 IGBT 和 SiC MOSFET。

与光耦合器相比，UCC5390-Q1 的部件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。

特性 Features

• 5kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
• 温度等级 1
• HBM ESD 分类等级 H2
• CDM ESD 分类等级 C6

• 以 GND2 为基准的 12V UVLO
• 8 引脚 DWV（8.5mm 爬电）封装
• 60ns（典型）传播延迟
• 较小的部件间传播延迟偏移
• 100V/ns 最小 CMTI
• 10A 最小峰值电流
• 3V 至 15V 输入电源电压
• 驱动器电源电压高达 33V

• 输入引脚具有负 5V 电压处理能力
• 安全相关认证：
• 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 7000VPK 隔离 (DWV)（计划）
• 5000VRMS (DWV) 隔离等级长达 1 分钟（符合 UL 1577 标准）
• 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证

• CMOS 输入
• 工作结温范围：–40°C 至 +150°C