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UCC27324DR

TI/德州仪器SOP-8

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德州TISOP-8

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全新、原装

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UCC27324D

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TIN/A

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TI/德州仪器NA

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Texas InstrumentsSOIC-8

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TISOIC-8

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TISOIC8

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TISOP8

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TI/德州仪器NA

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上海凌岳电子科技有限公司(上海涵恩科技)

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UCC27324D

TI/BBSOIC8

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深圳市中联芯电子有限公司

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TI/德州仪器SOP8

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深圳市煦洪科技有限公司

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TI/德州仪器原厂封装

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深圳市俊晖半导体有限公司

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TISOP8

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UCC27324DR

TI德州爆款原装

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UCC27324DR

TIN/A

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上海意淼电子科技有限公司

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UCC27324DGNR

TIHTSSOP-8

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UCC27324DR资讯

UCC27324DR 栅极驱动器

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SOT-23-5 MOSFET Gate Drivers SMD/SMT 门驱动器 , SOT-23-5 MOSFET Gate Drivers SMD/SMT 门驱动器 , MP6528 门驱动器 , 1 Output 1 Driver 门驱动器 , TSSOP-20 门驱动器 , SMD/SMT 门驱动器

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UCC27324D功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

UCC27324DG4功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

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UCC27324DGNR功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

UCC27324DGNRG4功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

UCC27324DR功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

UCC27324DRG4功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    UCC27324D

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 15V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1V,2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    4A,4A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    20ns,15ns

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC