基本参数
输出电流：具有 4A 的峰值拉电流和 4A 的峰值灌电流，可在米勒平坦区域提供高效的 MOSFET 驱动。
电源电压范围：工作电源电压为 4.5V 至 15V，电源电压最小为 4V，最大为 15V。
输入阈值：基于 TTL 和 CMOS，与电源电压无关，并具有能提供极佳防噪性能的宽输入迟滞。
逻辑类型：CMOS，提供了双路反相、双路同相、一路反相和一路同相 3 个标准逻辑选项的组合。
工作温度范围：-40℃至 125℃，可适应较宽的环境温度。
封装形式：标准 SOIC-8 封装，便于安装和在电路板上进行布局。
工作特性
独特的输出级：采用独特的双极和 MOSFET 混合输出级并联，可在低电源电压下实现高效的拉电流和灌电流。
快速的上升和下降时间：上升时间为 20ns，下降时间为 15ns，能够快速地驱动 MOSFET 的开关，减少开关损耗，提高系统效率。
低工作电源电流：工作电源电流为 750uA，功耗较低，有助于提高系统的能效。
应用领域
开关电源：在 DC/DC 转换器、开关模式电源等中，可用于驱动 MOSFET，实现高效的电源转换，提高电源的稳定性和可靠性。
电机控制器：适用于各种电机驱动电路，如直流电机、交流电机等的控制器，能够精确控制电机的开关和转速，提高电机的运行效率和性能。
D 类开关放大器：在音频功率放大器等 D 类放大器中，可驱动 MOSFET 实现高效的音频信号放大，减少失真，提高音质。
线驱动器：可作为线驱动器，用于传输高速信号，如在通信线路中驱动 MOSFET 实现信号的放大和传输。
