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UCC27282-Q1数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

UCC27282-Q1

功能描述

具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车类 3A、120V 半桥驱动器

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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UCC27282-Q1规格书详情

描述 Description

UCC27282 -Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器,最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3.5A 的峰值灌电流和 2.5A 的峰值拉电流以及较低的上拉和下拉电阻,UCC27282 -Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以最小的开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关,因此 UCC27282 -Q1 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。

输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压,因此提高了系统稳健性。输入互锁进一步提高了高噪声应用中的稳健性和系统可靠性。启用和禁用功能通过降低驱动器的功耗并响应系统内的故障事件,提供额外的系统灵活性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作,这在许多高频应用中是必需的,并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求,从而进一步提高效率。

高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能,因此可在 VDD 电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。在许多应用中,集成自举二极管无需使用外部分立式二极管,节省布板空间和降低系统成本。UCC27282 -Q1 采用小型封装,因此可支持高密度设计。

特性 Features

• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
• 温度等级 1(Tj = –40°C 至 150°C)
• HBM ESD 分类等级 1B
• CDM ESD 分类等级 C3

• 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
• 5V 典型欠压锁定
• 输入互锁
• 在 DRC 封装中启用/禁用功能
• 16ns 典型传播延迟
• 1.8nF 负载时的上升时间为 12ns,下降时间为 10ns
• 1ns 典型延迟匹配
• 输入引脚上接受的绝对最大负电压为 –5V
• HS 引脚上接受的绝对最大负电压为 –14V
• 3.5A 灌电流,2.5A 拉电流输出
• 绝对最大启动电压为 120V
• 禁用时消耗的电流很低 (7µA)
• 集成式自举二极管

技术参数

  • 制造商编号

    :UCC27282-Q1

  • 生产厂家

    :TI

  • Power switch

    :MOSFET

  • Input VCC (Min) (V)

    :5.5

  • Input VCC (Max) (V)

    :16

  • Peak output current (A)

    :3.5

  • Rise time (ns)

    :12

  • Operating temperature range (C)

    :-40 to 125

  • Undervoltage lockout (Typ)

    :5

  • Rating

    :Automotive

  • Number of channels (#)

    :2

  • Fall time (ns)

    :10

  • Prop delay (ns)

    :16

  • Iq (uA)

    :2

  • Input threshold

    :TTL

  • Channel input logic

    :TTL

  • Negative voltage handling at HS pin (V)

    :-14

  • Features

    :Enable

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