UCC27282-Q1

UCC27282 3-A 120-V Half-Bridge Driver with Cross Conduction Protection and Low Switching Losses

1Features •DrivestwoN-channelMOSFETsinhigh-sidelowside configuration •5-Vtypicalundervoltagelockout •Inputinterlock •Enable/disablefunctionalityinDRCpackage •16-nstypicalpropagationdelay •12-nsrise,10-nsfalltimewith1.8-nFload •1-nstypicaldelaymatching •

UCC27282-Q1

具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车类 3A、120V 半桥驱动器; • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果 \n• 温度等级 1（Tj = –40°C 至 150°C）\n• HBM ESD 分类等级 1B\n• CDM ESD 分类等级 C3\n \n• 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET\n• 5V 典型欠压锁定\n• 输入互锁\n• 在 DRC 封装中启用/禁用功能\n• 16ns 典型传播延迟\n• 1.8nF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间为 10ns\n• 1ns 典型延迟匹配\n• 输入引脚上接受的绝对最大负电压为 –5V\n• HS 引脚上接受的绝对最大负电压为 –14V\n• 3.5A 灌电流，2.5A 拉电流输出\n• 绝对最大启动电压为 120V\n• 禁用时消耗的电流很低 (7µA)\n• 集成式自举二极管;

UCC27282 -Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3.5A 的峰值灌电流和 2.5A 的峰值拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282 -Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以最小的开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此 UCC27282 -Q1 与模拟控制器和数字控制器均可结合使用。\n\n输入引脚和 HS 引脚能够承受较大的负电压，因此提高了系统稳健性。输入互锁进一步提高了高噪声应用中的稳健性和系统可靠性。启用和禁用功能通过降低驱动器的功耗并响应系统内的故障事件，提供额外的系统灵活性。5V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作，这在许多高频应用中是必需的，并可在某些工作模式下提高系统效率。较小的传播延迟和延迟匹配规格可尽可能降低死区时间要求，从而进一步提高效率。\n\n高侧和低侧驱动器级均配有欠压锁定 (UVLO) 功能，因此可在 VDD 电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。在许多应用中，集成自举二极管无需使用外部分立式二极管，节省布板空间和降低系统成本。UCC27282 -Q1 采用小型封装，因此可支持高密度设计。

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UCC27282-Q1 Automotive 120-V Half-Bridge Driver with Cross Conduction Protection and Low Switching Losses

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UCC27282 120-V Half-Bridge Driver with Cross Conduction Protection and Low Switching Losses

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UCC27282-Q1 Automotive 120-V Half-Bridge Driver with Cross Conduction Protection and Low Switching Losses

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