120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

文件：1.31149 Mbytes 页数：33 Pages

TI

德州仪器

120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side/Low-Side Driver

文件：1.0828 Mbytes 页数：28 Pages

TI

德州仪器

120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

文件：1.31149 Mbytes 页数：33 Pages

TI

德州仪器

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器

UCC27211A 器件驱动器基于广受欢迎的 UCC27201 MOSFET 驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。 > UCC27211A 的开关节点（HS 引脚）最高可处理 –18V 电压，从而保护高侧通道不受寄生 • 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)\n• 4A 吸收，4A 源输出电流\n• 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压，并且与电源电压范围无关\n• 8V 至 17V VDD 运行范围（绝对最大值 20V）\n• 快速传播延迟时间（典型值 20ns）\n• 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能 \n• SOIC-8 \n• 4mm × 4mm 小外形尺寸无引线 (SON)-10 封装\n• －40℃ 至 +140°C 的额定温度范围;

TI

德州仪器

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器

UCC27211A-Q1 器件驱动器基于广受欢迎的 UCC27201 MOSFET 驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。 UCC27211A-Q1 的开关节点（HS 引脚）最高可处理 –18V 电压，从而保护高侧通道 • 适用于汽车电子 应用\n• 器件温度等级：–40°C 至 +140°C 的工作环境温度范围 \n• 器件组件充电模式 (CDM) 分类等级 C6\n• 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)\n• 4A 吸收，4A 源输出电流\n• 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压，并且与电源电压范围无关\n• 8V 至 17V VDD 运行范围（绝对最大值 20V）\n• 快速传播延迟时间（典型值 20ns）\n• 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能 \n• －40℃ 至 +140°C 的额定温度范围;

TI

德州仪器

Package：8-VDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VSON

TI

德州仪器

Package：8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR

TI

德州仪器

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

TI

德州仪器