UCC27211A-Q1中文资料具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器数据手册TI规格书

描述 Description

UCC27211A-Q1 器件驱动器基于广受欢迎的 UCC27201 MOSFET 驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额定值。 UCC27211A-Q1 的开关节点（HS 引脚）最高可处理 –18V 电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27211A-Q1 已经增加了滞后特性，从而使得用于模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了至 2ns 的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，可提供对称的导通和关断行为，并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。UCC27211A-Q1 器件采用 8 引脚 SO-PowerPAD 封装。

特性 Features

• 适用于汽车电子 应用
• 器件温度等级：–40°C 至 +140°C 的工作环境温度范围
• 器件组件充电模式 (CDM) 分类等级 C6
• 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
• 4A 吸收，4A 源输出电流
• 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压，并且与电源电压范围无关
• 8V 至 17V VDD 运行范围（绝对最大值 20V）
• 快速传播延迟时间（典型值 20ns）
• 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
• －40℃ 至 +140°C 的额定温度范围

应用 Application

针对电信，数据通信和商用的电源
半桥和全桥转换器
推挽转换器
高电压同步降压型转换器
两开关正激式转换器
有源箝位正激式转换器
D类音频放大器