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UC2610	文件：162.12 Kbytes Page：3 Pages	Dual Schottky Diode Bridge	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UC2610N	文件：647.61 Kbytes Page：13 Pages	DUAL SCHOTTKY DIODE BRIDGE	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UC2610NG4	文件：647.61 Kbytes Page：13 Pages	DUAL SCHOTTKY DIODE BRIDGE	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UC2610N	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 桥式整流器描述：BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A 8DIP	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
UPA2610	文件：304.07 Kbytes Page：11 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2610,whichhasaheatspreader,isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •Thinsurfacemountpackagewithheatspreader •1.8Vdriveavailable •Lowon-stateresistance RDS(on)1=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
VB2610N	文件：736.74 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB2610N	文件：724.22 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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VBFB2610N	文件：548.52 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBL2610N	文件：412.39 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
UC2610
功能描述：
桥式整流器 Dual Schottky Diode Bridge
RoHS：
否
制造商：
Vishay
产品：
Single Phase Bridge
峰值反向电压：
1000 V 最大 RMS
正向连续电流：
4.5 A
最大浪涌电流：
450 A
正向电压下降：
1 V
最大反向漏泄电流：
10 uA
最大工作温度：
+ 150 C
长度：
30.3 mm
宽度：
4.1 mm
高度：
20.3 mm
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
SIP-4
封装：
Tube

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