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UC1678c	文件：300 bytes Page：1 Pages	MDD BU B/W STN Product	UltraChip 晶宏半导体	UltraChip
UPC1678	文件：94.35 Kbytes Page：16 Pages	5 V-BIAS, 7.5 dBm OUTPUT, 2.0 GHz WIDEBAND Si MMIC AMPLIFIER DESCRIPTION The µPC1678G is a silicon monolithic integrated circuit designed as medium output power amplifier for high frequency system applications. Due to +17.5 dBm TYP. output at 2 GHz, this IC is recommendable for transmitter stage amplifier of L BAND wireless communication systems. This IC 文件：94.35 Kbytes 页数：16 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPC1678G	文件：94.35 Kbytes Page：16 Pages	5 V-BIAS, 7.5 dBm OUTPUT, 2.0 GHz WIDEBAND Si MMIC AMPLIFIER DESCRIPTION The µPC1678G is a silicon monolithic integrated circuit designed as medium output power amplifier for high frequency system applications. Due to +17.5 dBm TYP. output at 2 GHz, this IC is recommendable for transmitter stage amplifier of L BAND wireless communication systems. This IC 文件：94.35 Kbytes 页数：16 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPC1678GV	文件：94.35 Kbytes Page：16 Pages	5 V-BIAS, 7.5 dBm OUTPUT, 2.0 GHz WIDEBAND Si MMIC AMPLIFIER DESCRIPTION The µPC1678G is a silicon monolithic integrated circuit designed as medium output power amplifier for high frequency system applications. Due to +17.5 dBm TYP. output at 2 GHz, this IC is recommendable for transmitter stage amplifier of L BAND wireless communication systems. This IC 文件：94.35 Kbytes 页数：16 Pages	NEC 瑞萨	NEC

技术参数

SEG：
104
PKG：
COG
Power_VDD(D)：
2.7~5.5
Power_VDD(A)：
2.7~5.5
Vop(Max)：
12.0
Interface：
SPI/3-wire
Operating Temperature：
-40℃ ~ +85℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创盛芯科技有限公司	UC1681900AN	TI/德州仪器	25+	DIP	60	全新原装正品支持含税	询价
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更多UC1678供应商更新时间2026-4-16 9:04:00

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