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VS-MBR2080CTPbF	文件：157.05 Kbytes Page：7 Pages	SchottkyRectifier,2x10A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-MBRB2080CTGPBF	文件：166.54 Kbytes Page：8 Pages	Lowforwardvoltagedrop	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-MBRB2080CTPBF	文件：184.96 Kbytes Page：9 Pages	SchottkyRectifier DESCRIPTION ThiscentertapSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforlowreverseleakageathightemperature.Theproprietarybarriertechnologyallowsforreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VSP2080	文件：80.66 Kbytes Page：7 Pages	CCDSIGNALFRONT-ENDPROCESSORFORDIGITALCAMERAS	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
VSP2080T	文件：80.66 Kbytes Page：7 Pages	CCDSIGNALFRONT-ENDPROCESSORFORDIGITALCAMERAS	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
VT2080C	文件：130.87 Kbytes Page：5 Pages	DualTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,an	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2080C	文件：163.74 Kbytes Page：6 Pages	DualTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2080C	文件：148.69 Kbytes Page：5 Pages	DualTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2080S	文件：148.41 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT2080S	文件：142.48 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freea	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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