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417	文件：50.85 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFUSES	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
A417RU	文件：175.6 Kbytes Page：2 Pages	Single&DualOutput,4WUltra-WideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)
AC-417	文件：109.8 Kbytes Page：1 Pages	ALUMINUMCHASSIS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
ADG417	文件：91.82 Kbytes Page：8 Pages	LC2MOSPrecisionMini-DIPAnalogSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG417isamonolithicCMOSSPSTswitch.ThisswitchisdesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistanceandlowleakagecurrents. FEATURES 44VSupplyMaximumRatings VSStoVDDAnalo	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG417BN	文件：91.82 Kbytes Page：8 Pages	LC2MOSPrecisionMini-DIPAnalogSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG417isamonolithicCMOSSPSTswitch.ThisswitchisdesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistanceandlowleakagecurrents. FEATURES 44VSupplyMaximumRatings VSStoVDDAnalo	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG417BR	文件：91.82 Kbytes Page：8 Pages	LC2MOSPrecisionMini-DIPAnalogSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG417isamonolithicCMOSSPSTswitch.ThisswitchisdesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistanceandlowleakagecurrents. FEATURES 44VSupplyMaximumRatings VSStoVDDAnalo	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG417BRZ	文件：92.05 Kbytes Page：8 Pages	LC2MOSPrecisionMini-DIPAnalogSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG417isamonolithicCMOSSPSTswitch.ThisswitchisdesignedonanenhancedLC2MOSprocessthatprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeed,lowonresistanceandlowleakagecurrents. FEATURES 44VSupplyMaximumRatings VSStoVDDAnalo	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AE417	文件：195.74 Kbytes Page：3 Pages	E-pHEMTMMIC	RFHICRFHIC RFHIC
AM417	文件：77.19 Kbytes Page：6 Pages	RATIOMETRICVOLTAGETRANSMITTER	AMEAnalogMicroElectronics，Inc. 安茂安茂微电子
AM417	文件：276.44 Kbytes Page：18 Pages	Ratiometricinstrumentationamplifierwithadjustableoutputstage	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AM417	文件：270.45 Kbytes Page：18 Pages	Ratiometricinstrumentationamplifierwithadjustableoutputstage FEATURES •Instrumentationamplifierinputfor positiveinputvoltages:0...200mV •Adjustablegain •Commonmodeinputrange(CMIR): 1.3…VCC-2.2V •Outputvoltageratiometrictothe supply:0.5...4.5V •Lowoffset •Lowoffsetdrift •Supplyvoltagerange: 5V±5(ratiometricrange)	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.
AM417	文件：270.76 Kbytes Page：18 Pages	Ratiometricinstrumentationamplifierwithadjustableoutputstage TYPICALAPPLICATIONS •Amplificationofresistorbridgesignals •Voltagemeasuremente.g.temperaturesensors •CurrentmeasurementviaShuntresistors •Amplificationcircuitryforsensingelementse.g.siliconpressuresensingelements •Differentialinputcircuitformicroprocessors/ADC-a	ANALOGMICROAnalog Microelectronics GmbH 芸圣微电子上海芸圣微电子有限公司
AN417	文件：306.74 Kbytes Page：21 Pages	Fromnickel-cadmiumtonickel-hydridefastbatterycharger	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
AN-417	文件：602.52 Kbytes Page：17 Pages	Quad150MHzRail-to-RailAmplifier PRODUCTDESCRIPTION TheAD8044isaquad,lowpower,voltagefeedback,highspeedamplifierdesignedtooperateon+3V,+5V,or±5Vsupplies.Ithastruesingle-supplycapabilitywithaninputvoltagerangeextending200mVbelowthenegativerailandwithin1Vofthepositiverail. FEA	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AN-417	文件：631.26 Kbytes Page：21 Pages	LowPower,LowNoiseandDistortionail-to-RailOutputAmplifiers GENERALDESCRIPTION TheADA4841-1/ADA4841-2areunitygainstable,lownoiseanddistortion,rail-to-railoutputamplifiersthathaveaquiescentcurrentof1.5mAmaximum.Despitetheirlowpowerconsumption,theseamplifiersofferlowwidebandvoltagenoiseperformanceof2.1nV/√Hzand1.4pA/	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AOD417	文件：309.43 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=-25A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=-30V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=34mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOD417	文件：1.02329 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •LoadSwitch •BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AOD417	文件：144.24 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOD417	文件：118.05 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD417usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications. Features VDS(V)=-30V	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOI417	文件：297.65 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=-55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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