U3116C中文资料Half-bridge of power MOSFET/IGBT Drive数据手册UNIU-SEMIC规格书

描述 Description

U3116C完全运行至 +200V 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，低至3.3V 逻辑。输出驱动级具有高脉冲电流缓冲级，专为最小驱动级交叉传导而设计。 浮动通道可用于驱动工作电压高达 200 伏的高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或IGBT。