首页 >U2793B其他被动元件>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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N-andP-Channel40V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2793AGRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES •Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) P-channelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2793GRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES •Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) P-channelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
N-andP-Channel60-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
BandpassFilter | MINI Mini-Circuits | MINI | ||
BandpassFilter | MINI Mini-Circuits | MINI | ||
BandpassFilter | MINI Mini-Circuits | MINI |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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