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TW083U65C	文件：1.20227 Mbytes Page：12 Pages	Marking：W083U65C；Package：TOLL；MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=650V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=83mΩ(typ.) (5)Lesssusceptibleto	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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Marking：W083U65C；Package：TOLL；MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=650V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=83mΩ(typ.) (5)Lesssusceptibleto

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