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TW030N120C	文件：525.54 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=30m Ω(typ.) (5)Lesssusceptibletomalfunctionduetohighthresholdvoltage:	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=30m Ω(typ.) (5)Lesssusceptibletomalfunctionduetohighthresholdvoltage:

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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更多TW030N120C供应商更新时间2024-4-29 15:28:00

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