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TVS4201MR6T1G	文件：186.46 Kbytes Page：6 Pages	Transient Voltage Suppressors 文件：186.46 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TVS4201MR6T1G-TP	文件：2.35273 Mbytes Page：4 Pages	丝印：42；Package：SOT23-6；Low Capacitance TVS Diode Array Features « Low operating voltage: 5V/ » Ultra low capacitance: 1.5pF typical (I/O to l/0) Ultra low leakage: nA level « Low clamping voltage » “IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: £30kV Contact discharge: +30kV -IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) -IEC61000-4-5(Lightning):30A(8 文件：2.35273 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
TVS4201MR6T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5VWM 12VC 6TSOP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSP4201MR6T1G	文件：184.48 Kbytes Page：6 Pages	Transient Voltage Suppressors 文件：184.48 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSP4201MR6T1G-TP	文件：2.43101 Mbytes Page：4 Pages	Low Capacitance TVS Diode Array Features « Low operating voltage: 5V/ » Ultra low capacitance: 1.5pF typical (I/O to l/0) Ultra low leakage: nA level « Low clamping voltage » “IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: £30kV Contact discharge: +30kV -IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) -IEC61000-4-5(Lightning):30A(8 文件：2.43101 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
NUP4201MR6T1	文件：41.48 Kbytes Page：4 Pages	Low Capacitance TSOP-6 Diode-TVS Array for High Speed Data Lines Protection 文件：41.48 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
TVS4201MR6T1G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
类型：
转向装置（轨至轨）
电压 - 反向断态（典型值）：
5V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
12V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
25A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
500W
电源线路保护：
是
应用：
汽车级
不同频率时电容：
3pF @ 1MHz
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：
6-TSOP
描述：
TVS DIODE 5VWM 12VC 6TSOP

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