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TVS4201MR6T1G-TP	文件：2.35273 Mbytes Page：4 Pages	Marking：42；Package：SOT23-6；Low Capacitance TVS Diode Array Features «Lowoperatingvoltage:5V/ »Ultralowcapacitance:1.5pFtypical(I/Otol/0) Ultralowleakage:nAlevel «Lowclampingvoltage »“IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:£30kV Contactdischarge:+30kV -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) -IEC61000-4-5(Lightning):30A(8	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
NSP4201MR6T1G	文件：184.48 Kbytes Page：6 Pages	TransientVoltageSuppressors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSP4201MR6T1G-TP	文件：2.43101 Mbytes Page：4 Pages	LowCapacitanceTVSDiodeArray Features «Lowoperatingvoltage:5V/ »Ultralowcapacitance:1.5pFtypical(I/Otol/0) Ultralowleakage:nAlevel «Lowclampingvoltage »“IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:£30kV Contactdischarge:+30kV -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) -IEC61000-4-5(Lightning):30A(8	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
NUP4201MR6T1	文件：41.48 Kbytes Page：4 Pages	LowCapacitanceTSOP-6Diode-TVSArrayforHighSpeedDataLinesProtection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NUP4201MR6T1G	文件：990.57 Kbytes Page：7 Pages	LOWCAPACITANCETVSDIODEARRAY Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:5V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±20kV Contactdischarge:±20kV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(Lightning)5A(8/20μs) RoHSCompliant A	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
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