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TTC011B数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

TTC011B

参数属性

TTC011B 包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANSISTOR NPN BIPO TO126N

功能描述

Power transistor for high-speed switching applications

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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TTC011B规格书详情

描述 Description

Feature:High hFE
Application Scope:Audio drivers
Polarity:NPN
Complementary Product:TTA006B
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Collector Current IC 1 A
Collector Current ICP 2 A
Collector power dissipation PC 10 W
Collector power dissipation PC 1.5 W
Collector-Base Voltage VCBO 230 V
Collector-emitter voltage VCEO 230 V

技术参数

  • 制造商编号

    :TTC011B

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :NPN

  • Features

    :Power Amps Driver Stage

  • VCEO(Max)(V)

    :230

  • IC(Max)(A)

    :1

  • hFE(Min)

    :100

  • hFE(Max)

    :320

  • VCE(sat)(Max)(V)

    :1.5

  • fT(Typ.)(MHz)

    :100

  • ComplementaryProduct

    :TTA006B

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :N

  • Package name

    :TO-126N

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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