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TTC009中文资料Power transistor for high-speed switching applications数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

TTC009

参数属性

TTC009 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 3A TO220NIS

功能描述

Power transistor for high-speed switching applications

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2026-2-8 22:52:00

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TTC009规格书详情

描述 Description

Polarity:NPN
RoHS Compatible Product(s) (#):Available

特性 Features

Collector Current IC 3 A
Collector Current ICP 5 A
Collector power dissipation PC 15 W
Collector power dissipation PC 2 W
Collector-Base Voltage VCBO 160 V
Collector-emitter voltage VCEO 80 V

技术参数

  • 产品编号:

    TTC009,F(M

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220NIS

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 3A TO220NIS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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