| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
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TOSHIBA/东芝SOT-323 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3P |
6850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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MINISMD |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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TOSHIBATO-3 |
5000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
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深圳兆威电子有限公司6年
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通泰Dice |
90010 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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TOSHIBA(东芝)TO-3PL |
89730000 |
23+ |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
留言
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MINISMD |
3600 |
2018+ |
MINI专营品牌全新原装正品假一赔十 |
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深圳市水星电子有限公司3年
留言
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MINI-CIRCUITSGU2939 |
184 |
23+ |
水星电子只做原装,支持一站式BOM配单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT323 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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TOSHIBA/东芝TO-252 |
1000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
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TOSHIBA/东芝TO-3PL |
20000 |
22+ |
十年沉淀唯有原装 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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10000 |
22+ |
公司只做原装正品!现货库存!假一罚十! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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TOSHIBATO-3PL |
8207 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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TOSHIBATO-3P |
100 |
21+ |
原装优势现货 欢迎咨询 |
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司11年
留言
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兴勤电子 |
2500 |
24+ |
进口原装现货/假一赔十 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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MININ/A |
50000 |
23+ |
全新原装现货热卖 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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1000 |
24+ |
优势货源原装正品 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
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TO-3PLTOSHIBA |
1500 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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TOSHIBA/东芝TO3P |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市赛恒电子科技有限公司3年
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6500 |
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原装正品 公司现货 价格优惠 |
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规格晶体管类型NPN电流-集电极（Ic）（最大值）15A电压-集射极击穿（最大值）230V不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）3V@800mA，8A电流-集电极截止（最大值）5μA（ICBO）不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）80@1A，5V功率-最大值150W频率-跃迁30MHz工作温度150°C（
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更多TTC0001制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
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TTC003(Q)功能描述:两极晶体管 - BJT NPN PWR Amp Trans 1.5A 3A 1.1W 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TTC007制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type
TTC008(Q)功能描述:两极晶体管 - BJT NPN PWR Amp Trans 1.5A IC 3A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
TTC009制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
TTC-009制造商:Tamura Corporation of America
