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TTA0002	文件：193.84 Kbytes Page：5 Pages	Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type ○ Power Amplifier Applications • High collector voltage: VCEO = － 160 V (min) • Complementary to TTC0002 • Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. 文件：193.84 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TTA0002	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TTA0002	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Application Scope：Power amplifier\nPolarity：PNP\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC -18 A \nCollector Current ICP -35 A \nCollector power dissipation PC 180 W \nCollector-Base Voltage VCBO -160 V \nCollector-emitter voltage VCEO -160 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TTA0002	文件：300 bytes Page：1 Pages	音频功放晶体管	THUNDER 中科创达	THUNDER
TTA0002(Q)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3PL；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 160V 18A TO3P	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

技术参数

Polarity：
PNP
Features：
Power Amps Output Stage
VCEO(Max)(V)：
-160
IC(Max)(A)：
-18
hFE(Min)：
80
hFE(Max)：
160
VCE(sat)(Max)(V)：
-2.0
fT(Typ.)(MHz)：
30
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name：
TO-3P(L)
Width×Length×Height(mm)：
20.0 x 26.0 x 5.0

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更多TTA0002供应商更新时间2026-1-16 17:28:00

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