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TTA0002(Q)

Package:TO-3PL;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 160V 18A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC0002

Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type

○ Power Amplifier Applications • High collector voltage: VCEO = 160 V (min) • Complementary to TTA0002 • Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage.

文件:194.41 Kbytes 页数:5 Pages

TOSHIBA

东芝

TTC0002

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件:1.58274 Mbytes 页数:73 Pages

TOSHIBA

东芝

UD0002U

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:131.14 Kbytes 页数:8 Pages

XINDEYI

产品属性

  • 产品编号:

    TTA0002(Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 900mA,9A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 1A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    30MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3PL

  • 供应商器件封装:

    TO-3P(L)

  • 描述:

    TRANS PNP 160V 18A TO3P

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TTA0002(Q)供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00