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TTC0002	文件：194.41 Kbytes Page：5 Pages	Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type ○ Power Amplifier Applications • High collector voltage: VCEO = 160 V (min) • Complementary to TTA0002 • Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier output stage. 文件：194.41 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TTC0002	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TTC0002	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Application Scope：Power amplifier\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 18 A \nCollector Current ICP 35 A \nCollector power dissipation PC 180 W \nCollector-Base Voltage VCBO 160 V \nCollector-emitter voltage VCEO 160 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TTC0002	文件：300 bytes Page：1 Pages	音频功放晶体管	THUNDER 中科创达	THUNDER
TTC0002(Q)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3PL；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 18A TO3P	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

技术参数

Polarity：
NPN
Features：
Power Amps Output Stage
VCEO(Max)(V)：
160
IC(Max)(A)：
18
hFE(Min)：
80
hFE(Max)：
160
VCE(sat)(Max)(V)：
2.0
fT(Typ.)(MHz)：
30
Number of pins：
3
Surface mount package：
N
Package name：
TO-3P(L)
Width×Length×Height(mm)：
20.0 x 26.0 x 5.0

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更多TTC0002供应商更新时间2025-12-24 10:04:00

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