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BZT52C33	文件：228.94 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BZT52C33	文件：509.59 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BZT52C33	文件：238.07 Kbytes Page：3 Pages	PlanarDieConstruction	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BZT52C33	文件：87.31 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSiliconPlanarZenerDiodes	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BZT52C33	文件：283.98 Kbytes Page：4 Pages	Surfacemountzenerdiode FEATURES ●Planardieconstruction. ●500mWpowerdissipationonceramic PCB. ●Generalpurpose,mediumcurrent. ●Ideallysuitedforautomatedassemblyprocesses. APPLICATIONS ●Zenerdiode. ●Ultra-smallsurfacemountpackage.	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
BZT52C33	文件：122.25 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODE Features •PlanarDieConstruction •500mWPowerDissipation •GeneralPurpose,MediumCurrent •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Notes3&4) •QualifiedtoAEC-	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BZT52C33	文件：128.83 Kbytes Page：8 Pages	SmallSignalZenerDiodes FEATURES •SiliconplanarZenerdiodes •TheZenervoltagesaregradedaccordingto theinternationalE24standard •AEC-Q101qualifiedavailable •ESDcapabilityaccordingtoAEC-Q101: Humanbodymodel>8kV Machinemodel>800V •BaseP/N-E3-RoHS-compliant,commercial	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZT52C33	文件：121.85 Kbytes Page：8 Pages	SmallSignalZenerDiodes Features •Siliconplanarpowerzenerdiodes •Thesediodesarealsoavailableinothercasestylesandotherconfigurationsincluding:theSOT-23casewithtypedesignationBZX84series,thedualzenerdiodecommonanodeconfigurationintheSOT-23casewithtypedesignationAZ23seriesandthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZT52C33	文件：143.07 Kbytes Page：3 Pages	0.5WZenerDiodes	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZT52C33	文件：136.69 Kbytes Page：2 Pages	1/2WattZEBERDIODESPlanarDieConstruction Features: PlanarDieConstruction 500mWPowerDissipationonCeramicPCB GeneralPurposeMediumCurrent IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcess	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI

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详细参数

型号：
TSZU52C33
功能描述：
稳压二极管 33 Volt 150mW 10%
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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