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TSV358IYPT	文件：217.31 Kbytes Page：15 Pages	GeneralPurpose,Input/OutputRail-to-RailLowPowerOperationalAmplifiers	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSV358IYPT	文件：270.01 Kbytes Page：17 Pages	Generalpurposeinput/outputrail-to-raillowpoweroperationalamplifiers	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TSV358IYPT	文件：278.6 Kbytes Page：19 Pages	Generalpurposeinput/outputrail-to-raillowpoweroperationalamplifiers	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
UPC358	文件：685.29 Kbytes Page：12 Pages	SinglePowerSupplyDualOperationalAmplifiers FEATURES -InputOffsetVoltage -InputOffsetCurrent -LargeSignalVoltageGain -InternalFrequencyCompensation -OutputShort-CircuitProtection	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC358	文件：251.47 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Internallyfrequencycompensation •WideoutputvoltageswingV–toV+–1.5V •CommonmodeinputvoltagerangeincludesV– •Widesupplyvoltagerange 3Vto30V(Single) ±1.5Vto±15V(Split) •Outputshortcircuitprotection	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC358	文件：74.77 Kbytes Page：12 Pages	LOWPOWERDUALOPERATIONALAMPLIFIERS SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC358C	文件：251.47 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Internallyfrequencycompensation •WideoutputvoltageswingV–toV+–1.5V •CommonmodeinputvoltagerangeincludesV– •Widesupplyvoltagerange 3Vto30V(Single) ±1.5Vto±15V(Split) •Outputshortcircuitprotection	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC358C	文件：74.77 Kbytes Page：12 Pages	LOWPOWERDUALOPERATIONALAMPLIFIERS SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC358HA	文件：74.77 Kbytes Page：12 Pages	LOWPOWERDUALOPERATIONALAMPLIFIERS SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC358MF-DAA	文件：346.93 Kbytes Page：10 Pages	BipolarAnalogIntegratedCircuit Features •ThepackageiscompliantwithaJEDECstandard(MS-012). •Thermalresistancewasimprovedmorethan30fromexistingμPC358G2byadoptingcopper-basedleadmaterial. (Rth(j-a)=156°C/W) •WiderOperatingAmbientTemperaturerangethanμPC358G2 ⎯μPC358MF-DAA(TA=−40to+85°C	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
TSV358IPT
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual Rail-to-Rail Low Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	TSV358IPT	STMicroelectronics	24+	8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)	25000	in stock线性IC-原装正品	询价
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更多TSV358IPT供应商更新时间2025-5-22 17:14:00

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