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TSTS7100	文件：81.65 Kbytes Page：5 Pages	GaAs IR Emitting Diodes in Hermetically Sealed TO18 Case Description TSTS710.seriesareinfraredemittingdiodesinstandardGaAstechnologyinahermeticallysealedTO–18package.Theirglasslensesprovideaveryhighradiantintensitywithoutexternaloptics. Features •Veryhighradiantintensity •Suitableforpulseoperation •Narrowan	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSTS7100	文件：142.51 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs DESCRIPTION TSTS7100isaninfrared,950nmemittingdiodeinGaAs technologyinahermeticallysealedTO-18packagewith lens. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:TO-18 •Dimensions(inmm):∅4.7 •Peakwavelength:λp=950nm •Highreliability •Highradiantpower •Hi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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TSTS7100	文件：149.75 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSTS7100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-18-2 金属罐；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 950NM 250MA TO18	Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division
TSTS7100_V02	文件：142.51 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs DESCRIPTION TSTS7100isaninfrared,950nmemittingdiodeinGaAs technologyinahermeticallysealedTO-18packagewith lens. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:TO-18 •Dimensions(inmm):∅4.7 •Peakwavelength:λp=950nm •Highreliability •Highradiantpower •Hi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSTS7100_08	文件：149.75 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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产品属性

产品编号：
TSTS7100
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
250mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
10mW/sr @ 100mA
波长：
950nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.3V
视角：
10°
方向：
顶视图
工作温度：
100°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-18-2 金属罐
描述：
EMITTER IR 950NM 250MA TO18

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