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TSUS4400	文件：81.32 Kbytes Page：5 Pages	GaAs Infrared Emitting Diode in ø 3 mm (T–1) Package DESCRIPTION TSUS4400isaninfrared,950nmemittingdiodeinGaAstechnologymoldedinabluetintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1 •Dimensions(inmm):∅3 •Peakwavelength:λp=950nm •Highreliability •Angleofhalfintensity:ϕ=±18° •Low	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSUS4400	文件：108.49 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSUS4400	文件：108.64 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSUS4400	文件：113.26 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSUS4400	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：径向；包装：散装类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 950NM 100MA RADIAL	Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division
TSUS4400_08	文件：108.49 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSUS4400_14	文件：108.64 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSUS4400_V01	文件：113.26 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSUS4400-CSZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：径向，3mm 直径（T-1）；包装：卷带（TR）类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 950NM STD 3MM	Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division

产品属性

产品编号：
TSUS4400
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
散装
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
7mW/sr @ 100mA
波长：
950nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.3V
视角：
36°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
描述：
EMITTER IR 950NM 100MA RADIAL

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