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TSM85N10CZ	文件：1.51161 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.51161 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
TSM85N10CZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
EMP85N10CS	文件：212.58 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 8.0mΩ ID 72A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：212.58 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMP85N10E	文件：235.65 Kbytes Page：7 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 8.5mΩ ID 96A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：235.65 Kbytes 页数：7 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMP85N10G	文件：184.73 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 8.5mΩ ID 14A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：184.73 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

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更多TSM85N10CZ供应商更新时间2025-12-12 14:02:00