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TSM7P06CP	文件：344.4 Kbytes Page：5 Pages	60V P-Channel Power MOSFET 文件：344.4 Kbytes 页数：5 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM7P06CPROG	文件：344.4 Kbytes Page：5 Pages	60V P-Channel Power MOSFET 文件：344.4 Kbytes 页数：5 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM7P06CP	文件：300 bytes Page：1 Pages	-60V, -7A, Single P-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
FQB7P06	文件：662.26 Kbytes Page：9 Pages	60V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：662.26 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD7P06	文件：665.24 Kbytes Page：9 Pages	60V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：665.24 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD7P06	文件：543.58 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel QFET짰 MOSFET - 60 V, - 5.4 A, 450 m? 文件：543.58 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

技术参数

Type：
P-Channel
Configuration：
Single
Status：
Active
AEC-Q：
No
VDS (V)：
-60
VGS ±(V)：
20
ID Max. (A)：
-7
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
180
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
153
RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
220
RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ)：
198
Qg (nC) @ 10V：
8.2
Qgd (nC)：
1.5
Qgs (nC)：
1.8
Ciss (pF)：
425
Coss (pF)：
35
Crss (pF)：
20
MSL：
3
VGS(th) Max. (V)：
-2.5
VGS(th) Min. (V)：
-1.2
VGS(th) Typ. (V)：
-1.6

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