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TSM7NC60CF	文件：413.03 Kbytes Page：6 Pages	Advanced planar process 文件：413.03 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM7NC60CF	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
GB7NC60HD	文件：1.36326 Mbytes Page：22 Pages	N-channel 14 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode Description These devices are very fast IGBT developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. These devices are well-suited for resonant or soft-switching applications. Features ■ Low o 文件：1.36326 Mbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
GF7NC60HD	文件：1.36326 Mbytes Page：22 Pages	N-channel 14 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode Description These devices are very fast IGBT developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. These devices are well-suited for resonant or soft-switching applications. Features ■ Low o 文件：1.36326 Mbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
GP7NC60H	文件：794.93 Kbytes Page：14 Pages	N-channel PowerMESH™ 600 V, 14 A very fast IGBT Description This device is a very fast IGBT developed using advanced PowerMESH™ technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. This device is well-suited for resonant or soft-switching applications. Features  Low on-vo 文件：794.93 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Planar
Configuration：
Single
Status：
NRND
AEC-Q：
No
VDS (V)：
600
VGS ±(V)：
30
ID Max. (A)：
7
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
1200
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
1070
Qg (nC) @ 10V：
24
Qgd (nC)：
8.2
Qgs (nC)：
7.2
Ciss (pF)：
1169
Coss (pF)：
62
Crss (pF)：
5
MSL：
NA
VGS(th) Max. (V)：
4.5
VGS(th) Min. (V)：
2.5
VGS(th) Typ. (V)：
3.5

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