零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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TSM7N65CZ | N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | VBSEMI | |
N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrecti | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | VBSEMI | ||
650V N-Channel Power MOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | TSC | ||
650V N-Channel Power MOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | TSC | ||
650V N-Channel Power MOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | TSC | ||
650VTRENCHGATEFIELD-STOPIGBT DESCRIPTION TheUTCUTG7N65-SisanTrenchField-StopInsulatedGate BipolarTransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovide customerswithhighswitchingspeed,lowsaturationvoltageand lowswitchingloss,etc. TheUTCUTG7N65-Sissuitablefortheresonantorsoft switchingap | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | UTC | ||
650VSuper-JunctionPowerMOSFET | WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司 | Winsemi | ||
SiliconN-ChannelMOSFET | WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司 | Winsemi | ||
650VSuper-JunctionPowerMOSFET | WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司 | Winsemi | ||
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | VBSEMI |
详细参数
- 型号:
TSM7N65CZ
- 功能描述:
MOSFET 650V 3Amp N Channel Power MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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