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UPA621TT	文件：68.22 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA621TTisaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya2.5Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5Vdr	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA621TT	文件：295.36 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FORSWITCHING FEATURES •2.5Vdriveavailable •Lowon-stateresistance RDS(on)1=50mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=2.5A) RDS(on)2=53mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=2.5A) RDS(on)3=79mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=2.5A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
US621	文件：100.01 Kbytes Page：1 Pages	Mediumandhightemperaturesettingtype Application/Scanner,Printer,Copier,etc.	ASAHI Asahikeiki Co.,Ltd.	ASAHI
US-621AXRGCO	文件：100.01 Kbytes Page：1 Pages	Mediumandhightemperaturesettingtype Application/Scanner,Printer,Copier,etc.	ASAHI Asahikeiki Co.,Ltd.	ASAHI
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