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TSM5NC50CZ	文件：334.67 Kbytes Page：6 Pages	Advanced planar process 文件：334.67 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM5NC50CZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V, 5A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
P5NC50	文件：534.01 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL 500V - 1.3ohm - 5.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK PowerMesh?줚I MOSFET DESCRIPTION The PowerMESH™II is the evolution of the first generation of MESH OVERLAY™.The layout refinements introduced greatly improve the Ron*area figure of merit while keeping the device at the lead ing edge for what concerns swithing speed, gate charge and ruggedness. ■ TYPICAL RDS 文件：534.01 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
P5NC50FP	文件：534.01 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL 500V - 1.3ohm - 5.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK PowerMesh?줚I MOSFET DESCRIPTION The PowerMESH™II is the evolution of the first generation of MESH OVERLAY™.The layout refinements introduced greatly improve the Ron*area figure of merit while keeping the device at the lead ing edge for what concerns swithing speed, gate charge and ruggedness. ■ TYPICAL RDS 文件：534.01 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STB5NC50	文件：534.01 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL 500V - 1.3ohm - 5.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK PowerMesh?줚I MOSFET DESCRIPTION The PowerMESH™II is the evolution of the first generation of MESH OVERLAY™.The layout refinements introduced greatly improve the Ron*area figure of merit while keeping the device at the lead ing edge for what concerns swithing speed, gate charge and ruggedness. ■ TYPICAL RDS 文件：534.01 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Planar
Configuration：
Single
Status：
NRND
AEC-Q：
No
VDS (V)：
500
VGS ±(V)：
30
ID Max. (A)：
5
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
1380
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
1200
Qg (nC) @ 10V：
15
Qgd (nC)：
7
Qgs (nC)：
4
Ciss (pF)：
856
Coss (pF)：
45
Crss (pF)：
1
MSL：
NA
VGS(th) Max. (V)：
4.5
VGS(th) Min. (V)：
2.5
VGS(th) Typ. (V)：
3.3

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