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P5NC50	文件：534.01 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL 500V - 1.3ohm - 5.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK PowerMesh?줚I MOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gate chargeandruggedness. ■TYPICALRDS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
P5NC50FP	文件：534.01 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL 500V - 1.3ohm - 5.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK PowerMesh?줚I MOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gate chargeandruggedness. ■TYPICALRDS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB5NC50	文件：534.01 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL500V-1.3ohm-5.5ATO-220/FP/D2PAK/I2PAKPowerMesh?줚IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gate chargeandruggedness. ■TYPICALRDS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB5NC50	文件：1.10907 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP5NC50	文件：371.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP5NC50	文件：534.01 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL500V-1.3ohm-5.5ATO-220/FP/D2PAK/I2PAKPowerMesh?줚IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gate chargeandruggedness. ■TYPICALRDS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP5NC50FP	文件：318.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP5NC50FP	文件：534.01 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL500V-1.3ohm-5.5ATO-220/FP/D2PAK/I2PAKPowerMesh?줚IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gate chargeandruggedness. ■TYPICALRDS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TSM5NC50CF	文件：413.03 Kbytes Page：6 Pages	Advancedplanarprocess	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM5NC50CP	文件：312.52 Kbytes Page：6 Pages	Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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