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WFP4N60	文件：1.09024 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
WFU4N60	文件：1.90675 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
WFU4N60	文件：464.42 Kbytes Page：8 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFU4N60	文件：737.86 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET 600VN-ChannelMOSFET Features □LowIntrinsicCapacitances □ExcellentSwitchingCharacteristics □ExtendedSafeOperatingArea □UnrivalledGateCharge:15nC(Typ.) □BVDSS=600V,ID=4A □LowerRDS(on):2.5Ω(Max)@VG=10V □100AvalancheTested	WISDOM Wisdom technologies Int`l	WISDOM
WFU4N60	文件：490.77 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingWinsemisadvancedplanarstripe,VDMOStechnology.thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,haveahighruggedavalanchecharacteristics.Thisdevicesisspeciallywellsuitedforhalfbridgeandful	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
YJ4N60CH	文件：1.11085 Mbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMosfet	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
YJ4N60CI	文件：1.11085 Mbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMosfet	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
YJ4N60CM	文件：1.11085 Mbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMosfet	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
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