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TSM2NB60

600V N-Channel Power MOSFET

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TSC

台湾半导体

TSM2NB60

600V N-Channel Power MOSFET

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TSC

台湾半导体

TSM2NB60

600V N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM2NB60_12

600V N-Channel Power MOSFET

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TSC

台湾半导体

TSM2NB60CHC5G

600V N-Channel Power MOSFET

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TSC

台湾半导体

TSM2NB60CHC5G

600V N-Channel Power MOSFET

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TSC

台湾半导体

TSM2NB60CIC0

600V N-Channel Power MOSFET

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TSC

台湾半导体

TSM2NB60CIC0

600V N-Channel Power MOSFET

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TSC

台湾半导体

TSM2NB60CP

Pb-free plating

文件:840.16 Kbytes 页数:9 Pages

TSC

台湾半导体

TSM2NB60CPROG

600V N-Channel Power MOSFET

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TSC

台湾半导体

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Planar

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    Active

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    600

  • VGS ±(V):

    30

  • ID Max. (A):

    2.3

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    4400

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    3900

  • Qg (nC) @ 10V:

    9.9

  • Qgd (nC):

    4.7

  • Qgs (nC):

    1.5

  • Ciss (pF):

    316

  • Coss (pF):

    32

  • Crss (pF):

    1

  • MSL:

    NA

  • VGS(th) Max. (V):

    4.5

  • VGS(th) Min. (V):

    2.5

  • VGS(th) Typ. (V):

    2.9

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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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