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MB10H100CT	文件：104.41 Kbytes Page：5 Pages	DualCommonCathodeHighVoltageSchottkyRectifier FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 245°C(forD2PAK(TO-263AB)pa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR10H100	文件：114.15 Kbytes Page：3 Pages	HighVoltageSchottkyRectifiers HighVoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequenc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR10H100	文件：143.83 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageSchottkyRectifier HighVoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequenc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR10H100	文件：1.19019 Mbytes Page：3 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassifications94V-0 SchottkyBarrierRectifiers Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassifications94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency •Guardringforovervoltageprotection •Foruseinlowvoltage,highfr	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR10H100	文件：141.65 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR10H100	文件：148.98 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageSchottkyRectifier FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 245°C(forTO-263ABpackage)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR10H100C	文件：320.12 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MBR10H100CT	文件：1.30244 Mbytes Page：2 Pages	10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers Features ●PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ●Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ●Highsurgecapability ●Foruseinpowersupply–outputrectif	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR10H100CT	文件：530.38 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier DualCommon-CathodeHigh-VoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •H	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR10H100CT	文件：595.5 Kbytes Page：2 Pages	10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

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产品属性

产品编号：
TSI10H100CW
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
卷带（TR）
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
5A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：
I2PAK
描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	TSI10H100CW	Taiwan Semiconductor Corporati	25+	TO-262-3 长引线 I?Pak TO-26	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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