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TSHG8200中文资料High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero数据手册Vishay规格书

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厂商型号

TSHG8200

参数属性

TSHG8200 封装/外壳为径向,5mm 直径(T 1 3/4);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为光电器件的LED发射器-红外紫外可见光;产品描述:EMITTER IR 830NM 100MA RADIAL

功能描述

High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero

封装外壳

径向,5mm 直径(T 1 3/4)

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

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更新时间

2025-9-25 10:06:00

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TSHG8200规格书详情

特性 Features

Package type: leaded
Package form: T-1¾
Dimensions (in mm): ∅ 5

应用 Application

• Infrared radiation source for operation with CMOS cameras (illumination)
• High speed IR data transmission
• Smoke-automatic fire detectors

技术参数

  • 产品编号:

    TSHG8200

  • 制造商:

    Vishay Semiconductor Opto Division

  • 类别:

    光电器件 > LED 发射器 - 红外,紫外,可见光

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    红外(IR)

  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):

    100mA

  • 不同 If 时最小辐射强度 (Ie):

    120mW/sr @ 100mA

  • 波长:

    830nm

  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):

    1.5V

  • 视角:

    20°

  • 方向:

    顶视图

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    径向,5mm 直径(T 1 3/4)

  • 描述:

    EMITTER IR 830NM 100MA RADIAL

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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