TSHG5510中文资料High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
TSHG5510 |
| 参数属性 | TSHG5510 封装/外壳为径向；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为光电器件的LED发射器-红外紫外可见光；产品描述：EMITTER IR 830NM 100MA RADIAL |
| 功能描述 | High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero |
| 封装外壳 | 径向 |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 11:36:00 |
| 人工找货 | TSHG5510价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TSHG5510规格书详情
特性 Features
Package type: leaded
Package form: T-1¾
Dimensions (in mm): Ø 5
应用 Application
• Infrared radiation source for operation with CMOS cameras (illumination)
• High speed IR data transmission
技术参数
- 产品编号：
TSHG5510
- 制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
- 类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 类型：
红外（IR）
- 电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
- 不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
18mW/sr @ 100mA
- 波长：
830nm
- 电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.45V
- 视角：
76°
- 方向：
顶视图
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
径向
- 描述：
EMITTER IR 830NM 100MA RADIAL
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
20+ |
标准 |
88720 |
红外全新原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2023+ |
DIP |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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NA |
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VISHAY/威世 |
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SMD |
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VISHAY/威世 |
23+ |
SMD |
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VISHAY |
25+ |
LED |
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VISHAY/威世 |
24+ |
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VISHAY原装 |
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