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TSHG6410_V01	文件：113.61 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero 文件：113.61 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
TSFF6410_V01	文件：103.76 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero DESCRIPTION TSFF6410 is an infrared, 870 nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, molded in a clear, untinted plastic package. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1¾ • Dimensions (in mm): Ø 5 • Peak wavelength: λp = 8 文件：103.76 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
TSHF6410_V01	文件：113.88 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 文件：113.88 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
TSI106G-66JB	文件：0 bytes Page：0 Pages	TUNDRA BGA	TUNDRA 上传：深圳市汇莱威科技有限公司	TUNDRA
TSI107C-100JE	文件：0 bytes Page：0 Pages	TUNDRA BGA	TUNDRA 上传：深圳市宇创芯科技有限公司	TUNDRA

更多TSHG6410_V01供应商更新时间2025-10-7 23:00:00