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TSFF6410_V01	文件：103.76 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero DESCRIPTION TSFF6410 is an infrared, 870 nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, molded in a clear, untinted plastic package. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1¾ • Dimensions (in mm): Ø 5 • Peak wavelength: λp = 8 文件：103.76 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
TSHF6410_V01	文件：113.88 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 文件：113.88 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
TSHG6410_V01	文件：113.61 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero 文件：113.61 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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