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TSFF6410	文件：103.76 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero DESCRIPTION TSFF6410isaninfrared,870nmemittingdiodeinGaAlAs doublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerand highspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1¾ •Dimensions(inmm):Ø5 •Peakwavelength:λp=8	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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TSFF6410_V01	文件：103.76 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero DESCRIPTION TSFF6410isaninfrared,870nmemittingdiodeinGaAlAs doublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerand highspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1¾ •Dimensions(inmm):Ø5 •Peakwavelength:λp=8	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
TSFF6410
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero

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更多TSFF6410供应商更新时间2025-5-20 16:49:00

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