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18N60	文件：143.41 Kbytes Page：3 Pages	POLARHVHIPERFETPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC18N60usesUTC’sadvancedproprietary,planarstripe,DMOStechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES RDS(ON)≤0.5Ω@VGS=10V,ID=9A Ul	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
18N60	文件：147.42 Kbytes Page：3 Pages	600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
18N60	文件：61.05 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching •FEATURES •DrainCurrentID=18A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage:VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.4Ω(Max) •FastSwitching •APPLICATIONS •Switchmodepowersupply.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXFH18N60P	文件：337.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXTP18N60PM	文件：121.3 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFET PolarPowerMOSFET(ElectricallyIsolatedTab) N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •PlasticOvermoldedTabforElectricalIsolation •InternationalStandardPackage •LowRDS(on)andQG •AvalancheRated •LowPackageInductance •FastIntrinsicRectifier Advantages •H	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ18N60P	文件：176.7 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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更多TSF18N60MRMOS(场效应管)供应商更新时间2024-5-31 9:48:00

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