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180N10B	文件：595.58 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
180N10N	文件：299.61 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM3Power-Transistor Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FIR180N10PG	文件：3.98832 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR180N10RG	文件：3.65918 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
HRD180N10K	文件：1.64749 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
HRD180N10K	文件：989.45 Kbytes Page：9 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.
HRLF180N10K	文件：223.81 Kbytes Page：7 Pages	100AvalancheTested	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.
HRLO180N10K	文件：241.03 Kbytes Page：7 Pages	HighDenseCellDesign	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.
HRP180N10K	文件：921.24 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelTrenchMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.
IXFE180N10	文件：78.29 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET-TMPowerMOSFET HiPerFETPowerMOSFET SingleDieMOSFET Features •ConformstoSOT-227Boutline •EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance •	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFK180N10	文件：111.52 Kbytes Page：4 Pages	SingleMOSFETDie VDSS=100V ID25=180A RDS(on)≤8mΩ SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages HighCurrentHandlingCapability AvalancheRated LowRDS(on)HDMOSTMProcess Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFN180N10	文件：84.32 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETSingleMOSFETDie HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackage •miniBLOC,withAluminiumNitrideIsolation •Dynamicdv/dtRating •AvalancheRated •FastIntrinsicRectifier •LowRDS(on) •LowDrain-to-TabCapacitan	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFN180N10	文件：144.35 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFR180N10	文件：33.22 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247 VDSS=100V ID25=165A RDS(on)=8mΩ trr≤250ns SingleMOSFETDie Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFR180N10	文件：330.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFX180N10	文件：368.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFX180N10	文件：111.52 Kbytes Page：4 Pages	SingleMOSFETDie VDSS=100V ID25=180A RDS(on)≤8mΩ SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages HighCurrentHandlingCapability AvalancheRated LowRDS(on)HDMOSTMProcess Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFX180N10	文件：154.87 Kbytes Page：5 Pages	HiperFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTA180N10T	文件：300.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTA180N10T	文件：160.56 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated TrenchMV™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature Advantages •Easytomount •Spacesavings •High	IXYS IXYS Integrated Circuits Division

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详细参数

型号：
TSD180N10F
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 180A I(D)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	TSD180N10F	ST	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	TSD180N10F	ST	16+	MODULE	2100	公司大量全新现货随时可以发货	询价
中科航电（深圳）电子集团有限公司	TSD180N10F	ST		MODULE	93480	集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规	询价
鑫勃源（上海北京青岛）有限公司	TSD180N10V	ST	23+	模块	18000		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	TSD180N10V	ST	23+	模块	500	原装正品,假一罚十	询价
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深圳市维尔达电子有限公司	TSD180N10V	ST	2023+	MODULE	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
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深圳市亚泰盈科电子有限公司	TSD180N10V	ST		模块	256	原装原装原装只做原装现货	询价

更多TSD180N10F供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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