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TSCDT10065G1	文件：381.1 Kbytes Page：6 Pages	10A, 650V SiC Merged PIN Schottky Diode FEATURES Max junction temperature 175°C MPS structure for high ruggedness to forward current surge events High-speed switching possible High forward surge capability High-frequency operation Positive temperature coefficient on VF RoHS compliant Halogen-free APPLICATIONS General purpose 文件：381.1 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
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TSCS42A2X1NLGXZAX	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN-48	TEMPO 上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	TEMPO
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TSD5N50	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	TRUESEMI 信安半导体上传：深圳市昌和盛利电子有限公司	TRUESEMI

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更多TSCDT10065G1供应商更新时间2026-1-26 9:52:00