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TSD5N50M	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar MOSFET	Truesemi 信安半导体	Truesemi
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TSM5N50	文件：372.34 Kbytes Page：6 Pages	500V N-Channel Power MOSFET 文件：372.34 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
VSSAF5N50	文件：124.6 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Schottky technology 文件：124.6 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VSSAF5N50	文件：116.63 Kbytes Page：5 Pages	Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 0.95 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • Material categorization: for definitions o 文件：116.63 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

更多TSD5N50供应商更新时间2025-12-11 16:03:00