TSC5302D中文资料High Voltage NPN Transistor with Diode数据手册TSC规格书

特性 Features

● Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Anti-saturation Operation
● No Need to Interest hFE Value Because of Low Variable Storage-time Spread Even Though Comer Spirit Product.
● Low Base Drive Requirement
● Suitable for Half Bridge Light Ballast ApplicationStructure
● Silicon Triple Diffused Type
● NPN Silicon Transistor with Diode 

简介

TSC5302D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由TSC制造生产的TSC5302D晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。